ионное распыление

См. также в других словарях:

• ионное распыление — joninis dulkinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ionic sputtering vok. Ionenstrahlzerstäubung, f; Ionenzerstäubung, f rus. ионное распыление, n pranc. pulvérisation ionique, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

• высокочастотное ионное распыление — aukštadažnis joninis dulkinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. radio frequency ion sputtering vok. HF Sputtern, n; Hochfrequenzsputtern, n rus. высокочастотное ионное распыление, n pranc. pulvérisation ionique à haute… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• реактивное ионное распыление — reaktyvusis joninis dulkinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion sputtering vok. reaktives Sputtern, n rus. реактивное ионное распыление, n pranc. pulvérisation ionique réactive, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

• РАСПЫЛЕНИЕ — твёрдых тел разрушение твёрдых тел под действием бомбардировки их поверхности заряженными и нейтральными частицами (атомами, ионами, нейтронами, электронами и др.) и фотонами. Впервые наблюдалось как разрушение катода в газовом разряде (отсюда… …   Физическая энциклопедия

• Ионное внедрение —         ионное легирование, введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела путём бомбардировки его поверхности ионами. Средняя глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ионы с энергиями Ионное внедрение 10 100… …   Большая советская энциклопедия

• ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионное легирование, ионная имплантация), введение посторонних атомов внутрь тв. тела бомбардировкой его поверхности ионами. Ср. глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ноны с энергиями ?и=10 100 кэВ проникают… …   Физическая энциклопедия

• ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ — удаление вещества с поверхности твёрдого тела под действием ионной бомбардировки. Процесс И. т. зависит от интенсивности пучка, вида, энергии н угла падения ионов, а также от материала и состояния мишени. В процессе И. т. вследствие распыления,… …   Физическая энциклопедия

• Катодное распыление —         ионное распыление, разрушение отрицательного электрода (катода) в газовом разряде под действием ударов положительных ионов. В более широком смысле разрушение твёрдого вещества при его бомбардировке заряженными или нейтральными частицами.… …   Большая советская энциклопедия

• КАТОДНОЕ РАСПЫЛЕНИЕ — распыление в ва с поверхности твёрдого тела при бомбардировке его ионами. Первоначально наблюдалось как разрушение катодов в электровакуумных и газоразрядных приборах. Используется для очистки поверхностей и выявления структуры в ва (ионное… …   Большой энциклопедический политехнический словарь

• Магнетронное распыление — Магнетронное распыление  это технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью магнетрона. Основы технологии Принцип магнетронного распыления основан на образовании над поверхностью катода кольцеобразной плазмы в результате… …   Википедия

• НАПЫЛЕНИЕ ВАКУУМНОЕ — нанесение пленок или слоев на пов сть деталей или изделий в условиях вакуума (1,0 1 Х 10 7 Па). Н. в. используют в планарной технологии полупроводниковых микросхем, в произ ве тонкопленочных гибридных схем, изделий пьезотехники, акустоэлектроники …   Химическая энциклопедия